苏州东微半导体股份有限公司关于2026年“提质增效重回报”行动方案的半年度评估报告

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苏州东微半导体股份有限公司

关于 2026年“提质增效重回报”行动方案的

半年度评估报告

为积极响应落实关于开展沪市公司“提质增效重回报”专项行动的倡议，践

行“以投资者为本”的上市公司发展理念，切实维护全体股东合法权益，牢固树

立回报股东意识，切实增强投资者回报与获得感，推动公司高质量、可持续发展。

苏州东微半导体股份有限公司（以下简称“公司”）于 2026年4月披露《关于

2025年度“提质增效重回报”专项行动方案的评估报告暨 2026年度“提质增效

重回报”行动方案》（以下简称“行动方案”）。根据行动方案内容，公司在 2026

年上半年积极推进相关工作，现将行动方案半年度执行情况报告如下：

一、聚焦主业发展，持续提升经营质量

公司是一家具备从专利到量产完整经验的技术驱动型半导体企业，产品覆盖

高性能功率器件、功率模块、数模混合电源管理芯片、数字实时控制器等。公司

致力于围绕信号采集、逻辑控制、功率输出等环节，构建完整的“控制－驱动－

执行”全链路解决方案，助力算力能源基础设施、新能源电力系统、汽车电子及

工业控制等下游客户实现一体化系统应用落地。报告期内，公司积极把握市场机

遇，持续加大研发创新投入，巩固核心竞争优势。

（一）经营业绩稳步增长

报告期内，公司实现营业收入 7.36亿元，同比增长 19.58%；归属于上市公

司股东的净利润 10,630.18万元，同比增长285.41%；基本每股收益0.87元/股，

同比增长 278.26%。

报告期内，公司完成收购深圳慧能泰半导体科技有限公司（以下简称“慧能

泰”）控股权，深化与慧能泰的并购整合，促进业务、技术、研发、运营、供应

链和职能体系的进一步融合。根据相关会计准则，慧能泰于 2026年5月起纳入

公司合并报表范围，并在纳入合并报表范围期间实现营业收入 4,330.48万元、

净利润 227.94万元。

（二）研发投入持续增加

2026年上半年，公司聚焦半导体高性能功率半导体及数字控制 IC的研发和

销售，坚持研发投入，积累并优化技术储备，加快实现新产品的技术迭代。公司

2026年1-6月研发费用投入 5,565.28万元，较上年同期增加 1,342.23万元，

同比增长 31.78%。本期末研发人员数量 113人，较上年同期增长 36.14%。与此

同时，公司高度重视研发人才梯队建设，通过外部招聘和内部培养双通道，持续

扩大技术团队。

在专利布局方面，截至 2026年6月底，公司累计获得授权专利及软件著作

权111项。其中发明专利 103项，实用新型专利 7项，公司已登记软件著作权 1

项。报告期内，公司新增知识产权申请项目 13个，其中境内发明专利申请数 7

个，集成电路布图 6个；新增知识产权授权项目 15个，其中境内发明专利 7个，

境外专利 4个，集成电路布图 4个。

（三）产品品类持续扩张

报告期内，公司持续进行新技术开发工作，持续推进产品升级和技术迭代。

同时与控股子公司慧能泰进行技术合作，搭建完整的数字 IC矩阵，覆盖数模混

合快速充电控制芯片、数字电源控制器、工业实时控制 DSP、高精度 BMSAFE、

PMIC、栅极驱动、模拟运放等全品类芯片，包含了更多的产品品类和更多的应用

领域。

1、功率器件/功率模块：

超级结 MOSFET方面，报告期内公司第四代超级结 MOSFET产品出货比例保持

稳步增长，同时第六代超级结 MOSFET研发工作取得阶段性重要进展，验证结果

符合预期。公司将持续推进耐压范围拓展，全电压段超结产品布局进一步完善。

中低压屏蔽栅 MOSFET方面，报告期内公司通过对 25V-200V全规格段中低压

屏蔽栅产品性能进行深度优化，成功量产了多颗高难度规格产品，为客户的国产

化替代提供了坚实支撑。其中，40V FSMOS系列实现了从 8英寸到 12英寸产线

的全面迭代；150V-200V平台凭借新开发的独特技术，成为通信与服务器电源等

高频应用的理想选择。同时，公司全力推进 25V-200V下一代高速系列器件，达

成更低的比导通电阻，更小的电容，更快的开关速度，致力于在高端电力电子装

备等前沿应用领域创造更大价值。

独创结构的 TGBT方面，报告期内公司完成了基于柔性开关技术的 650V高速

低功耗 TGBT产品的研发，在相关客户（含汽车领域）已经完成初步评估，性能

满足预期，公司研发的多款高电压 TGBT已批量交付工业电机及光伏逆变客户。

SiC器件方面，报告期内公司第二代、第三代 650V和1200V平台的多个SiC

MOSFET产品已通过严苛的工业级可靠性验证，进入稳定交付阶段，并成功切入

行业头部客户供应链，覆盖服务器电源、光伏储能、车载充电机等核心应用场景。

1400V及更高电压产品已通过客户测试并获得订单，该系列产品是工业高压电源、

固态变压器、储能变流器等高端场景的核心器件。650V/750V/1200V 第四代 SiC

MOSFET平台已完成研发进入量产爬坡阶段，性能处于国内领先水平；同时，3300V

及以上系列产品也在积极研发布局中。

功率模块方面，报告期内公司模块产品已批量出货，产品聚焦储能、AIDC 等

大功率密度场景，并针对机器人领域进行小型化低压模块的开发。其中在高压领

域，公司产品可广泛应用于新能源汽车 OBC/DCDC、光伏逆变器、储能系统及算力

服务器 AIDC领域；在低压领域，公司低压 SGTMOS半桥/全桥模块系列产品涵盖

绿色能源与通信领域的高性能同步整流电源、特种交通工具如电动快艇及四轮低

速电动车的驱动系统、无人机飞控电源及四足机器人关节驱动模组，以及汽车热

管理系统。

2、IC产品方面

数模混合快速充电控制芯片主要应用在消费电子的旅行充电器、车载充电器、

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