中文会议纪要
关注光模块及CoWoS中mSAP工艺的应用及设备投资机会
公开摘要
本次会议重点分析了mSAP工艺在光模块PCB及CoWoS先进封装中的应用及设备投资机会。mSAP工艺通过薄铜层（1-2微米）、图形电镀和精确闪蚀，显著提升布线精度至15-20微米，优于传统减成法（50微米以上）。随着光模块从800G向1.6T升级，布线密度提升50%-100%，最小线宽线距降至15微米，mSAP工艺成为必需。在CoWoS工艺中，去除中介层后，
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