韩国科技：半导体 —— 存储芯片：韩国存储行业专家电话会议要点总结

内容摘要

我们于 7 月 28 日举办韩国存储行业专家线上研讨会。核心观点包括：1）DRAM 价格今年将持续稳步上涨，明年 HBM 具备显著上行空间；2）长期供货协议将形成强劲约束力；3）中国存储公司在短期至中期带来的威胁有限；4）产能扩张力度加大，但比特增量有限；5）预计混合键合技术将逐步落地普及。我们重申对三星电子的买入评级。 DRAM 价格今年将持续稳步上涨，明年 HBM 具备显著上行空间：专家预计常规 DRAM 价格在 2026 年第三季度有望实现稳健的两位数环比涨幅，这与近期现货市场强势上涨行情保持一致。专家同时认为，受持续供给短缺影响，2026 年第四季度价格或将再度录得两位数环比上涨。对于明年 HBM 价格，专家判断受常规 DRAM 涨价带动，价格存在翻倍可能性。…